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Référence fabricant | BAS21AVD,165 |
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Numéro de pièce future | FT-BAS21AVD,165 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAS21AVD,165 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 3 Independent |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 200mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 200mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-74, SOT-457 |
Package d'appareils du fournisseur | 6-TSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS21AVD,165 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAS21AVD,165-FT |
BAT5406E6327HTSA1
Infineon Technologies
BAT6404E6433HTMA1
Infineon Technologies
MMBD1405A
ON Semiconductor
1PS181,115
NXP USA Inc.
1PS181,135
NXP USA Inc.
1PS184,115
NXP USA Inc.
1PS184,135
NXP USA Inc.
1PS226,115
NXP USA Inc.
1PS226,135
NXP USA Inc.
1PS59SB14,115
NXP USA Inc.
ICE40UP5K-SG48ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
XC4010XL-1TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-3TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-PQ100C
Microsemi Corporation
XC3S400AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
AGLN010V5-UCG36
Microsemi Corporation
EP4CGX75DF27C7
Intel
10M25DCF256C7G
Intel
5SGSMD8K3F40I3N
Intel
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation