maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / HN2D03F(TE85L,F)
Référence fabricant | HN2D03F(TE85L,F) |
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Numéro de pièce future | FT-HN2D03F(TE85L,F) |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HN2D03F(TE85L,F) Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 3 Independent |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 100mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 100mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 500ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 400V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-74, SOT-457 |
Package d'appareils du fournisseur | SM6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HN2D03F(TE85L,F) Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HN2D03F(TE85L,F)-FT |
1PS181,115
NXP USA Inc.
1PS181,135
NXP USA Inc.
1PS184,115
NXP USA Inc.
1PS184,135
NXP USA Inc.
1PS226,115
NXP USA Inc.
1PS226,135
NXP USA Inc.
1PS59SB14,115
NXP USA Inc.
1PS59SB15,115
NXP USA Inc.
1PS59SB16,115
NXP USA Inc.
1SS181,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
XC2S30-6PQ208C
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ84B
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A54SX16A-FG256I
Microsemi Corporation
5SGXEA5N3F40C4N
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XC5VLX155T-3FFG1738C
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XC7VX690T-2FFG1927C
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XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
10AX115N3F45I2SGES
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