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ON Semiconductor NSVBAS21TMR6T1G
- Numéro de pièce MFG
- NSVBAS21TMR6T1G
- quantité disponible
- 90280 Pièces
- Prix de référence
- USD 0.058576
- Notre prix
- Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous
- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- ON Semiconductor
- Brève description
- - DIODE ARRAY GP 250V 200MA SC74
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Diodes - Redresseurs - Matrices
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- NSVBAS21TMR6T1G.pdf
NSVBAS21TMR6T1G Caractéristiques
| Référence fabricant | NSVBAS21TMR6T1G |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-NSVBAS21TMR6T1G |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| NSVBAS21TMR6T1G Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Configuration de la diode | 3 Independent |
| Type de diode | Standard |
| Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 250V |
| Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 200mA (DC) |
| Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 200mA |
| La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 200V |
| Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / caisse | SC-74, SOT-457 |
| Package d'appareils du fournisseur | SC-74 |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| NSVBAS21TMR6T1G Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | NSVBAS21TMR6T1G-FT |
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