maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / NE58219-T1-A
Référence fabricant | NE58219-T1-A |
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Numéro de pièce future | FT-NE58219-T1-A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NE58219-T1-A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 12V |
Fréquence - Transition | 5GHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | - |
Gain | - |
Puissance - Max | 100mW |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 5V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 60mA |
Température de fonctionnement | 125°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-75, SOT-416 |
Package d'appareils du fournisseur | 3-SuperMiniMold (19) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE58219-T1-A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NE58219-T1-A-FT |
BFR 380T E6327
Infineon Technologies
BFR 949T E6327
Infineon Technologies
MMBTH10-7
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BFP193E6327HTSA1
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BFU520R
NXP USA Inc.
BFU520XAR
NXP USA Inc.
BFU530R
NXP USA Inc.
XC3S400-4TQG144I
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A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
XC4020XL-1HT176C
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XC6VLX240T-L1FF1156I
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LFE2-20E-7F672C
Lattice Semiconductor Corporation
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