maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / MMBTH10-7
Référence fabricant | MMBTH10-7 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MMBTH10-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MMBTH10-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 25V |
Fréquence - Transition | 650MHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | - |
Gain | - |
Puissance - Max | 300mW |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 4mA, 10V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 50mA |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBTH10-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MMBTH10-7-FT |
MRF586G
Microsemi Corporation
MS1409
Microsemi Corporation
MS1649
Microsemi Corporation
SD1127
Microsemi Corporation
SD1444
Microsemi Corporation
2SC5006-A
CEL
2SC5006-T1-A
CEL
2SC5007-A
CEL
2SC5007-T1-A
CEL
2SC5008-A
CEL
A54SX16A-1PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C8
Intel
10M40DAF484I6G
Intel
5AGXBA1D4F27I5
Intel
5SGXMABK2H40C2N
Intel
LFEC20E-3FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-3
Intel
EP1S40F1020C6N
Intel
EP1SGX25FF1020C5
Intel