maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / BFP193E6327HTSA1
Référence fabricant | BFP193E6327HTSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BFP193E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BFP193E6327HTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 12V |
Fréquence - Transition | 8GHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
Gain | 12dB ~ 18dB |
Puissance - Max | 580mW |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 30mA, 8V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 80mA |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-253-4, TO-253AA |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SOT143-4 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFP193E6327HTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BFP193E6327HTSA1-FT |
SD1444
Microsemi Corporation
2SC5006-A
CEL
2SC5006-T1-A
CEL
2SC5007-A
CEL
2SC5007-T1-A
CEL
2SC5008-A
CEL
2SC5008-T1-A
CEL
2SC5010-A
CEL
2SC5010-T1-A
CEL
2SC5606-A
CEL
M2GL025TS-1VFG256
Microsemi Corporation
5SGSMD8N1F45C2N
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EP4S40G5H40I2
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XC5VLX155T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
ICE40UL640-CM36AI
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LFE2-20SE-6FN484C
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LFE2-35E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB1H4F35I3G
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5SGXEA3H2F35C2L
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