maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / BFR 949T E6327
Référence fabricant | BFR 949T E6327 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BFR 949T E6327 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BFR 949T E6327 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 10V |
Fréquence - Transition | 9GHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 1dB ~ 2.5dB @ 1GHz |
Gain | 20dB |
Puissance - Max | 250mW |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 5mA, 6V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 35mA |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-75, SOT-416 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SC-75 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFR 949T E6327 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BFR 949T E6327-FT |
MRF586
Microsemi Corporation
MRF586G
Microsemi Corporation
MS1409
Microsemi Corporation
MS1649
Microsemi Corporation
SD1127
Microsemi Corporation
SD1444
Microsemi Corporation
2SC5006-A
CEL
2SC5006-T1-A
CEL
2SC5007-A
CEL
2SC5007-T1-A
CEL
EX64-TQG100A
Microsemi Corporation
XA2S200E-6FT256I
Xilinx Inc.
XC7K410T-L2FBG676E
Xilinx Inc.
XC7A35T-3FGG484E
Xilinx Inc.
EP1M120F484C7ES
Intel
5SGXEA7K3F35C4N
Intel
XC7VX330T-2FFG1157C
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF1508C4N
Intel
EPF10K50VBC356-3N
Intel