maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / NDFPD1N150CG
Référence fabricant | NDFPD1N150CG |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-NDFPD1N150CG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NDFPD1N150CG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 1500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 100mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 Ohm @ 50mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4.2nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 80pF @ 30V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2W (Ta), 20W (Tc) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220-3 |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NDFPD1N150CG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NDFPD1N150CG-FT |
SCT3160KLGC11
Rohm Semiconductor
SCT3080KLGC11
Rohm Semiconductor
R6025FNZ1C9
Rohm Semiconductor
R6020KNZ1C9
Rohm Semiconductor
R6030KNZ1C9
Rohm Semiconductor
R6046ANZ1C9
Rohm Semiconductor
R6076ENZ1C9
Rohm Semiconductor
R6020ENZ1C9
Rohm Semiconductor
R6024KNZ1C9
Rohm Semiconductor
SCT3022ALGC11
Rohm Semiconductor
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel