maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / R6046ANZ1C9
Référence fabricant | R6046ANZ1C9 |
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Numéro de pièce future | FT-R6046ANZ1C9 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
R6046ANZ1C9 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 46A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 23A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6000pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 120W (Tc) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247 |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6046ANZ1C9 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | R6046ANZ1C9-FT |
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Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
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EP4CE6E22C8N
Intel
LFEC6E-5F484C
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5SGXEA3H2F35I3LN
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