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R6020KNZ1C9 Image

Rohm Semiconductor R6020KNZ1C9

Numéro de pièce MFG
R6020KNZ1C9
quantité disponible
78880 Pièces
Prix de référence
USD 2.416
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Date d'expédition
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fabricant
Rohm Semiconductor
Brève description
- NCH 600V 20A POWER MOSFET
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
R6020KNZ1C9.pdf
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R6020KNZ1C9 Caractéristiques

Référence fabricant R6020KNZ1C9
Numéro de pièce future FT-R6020KNZ1C9
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
R6020KNZ1C9 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 20A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 196 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1550pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 231W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-247
Paquet / caisse TO-247-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
R6020KNZ1C9 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange R6020KNZ1C9-FT

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