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ON Semiconductor NVATS5A112PLZT4G

Numéro de pièce MFG
NVATS5A112PLZT4G
quantité disponible
24690 Pièces
Prix de référence
USD 0.357648
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- MOSFET P-CHANNEL 60V 27A ATPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
NVATS5A112PLZT4G.pdf
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NVATS5A112PLZT4G Caractéristiques

Référence fabricant NVATS5A112PLZT4G
Numéro de pièce future FT-NVATS5A112PLZT4G
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
NVATS5A112PLZT4G Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 27A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 43 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 33.5nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1450pF @ 20V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 48W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur ATPAK
Paquet / caisse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVATS5A112PLZT4G Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange NVATS5A112PLZT4G-FT

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