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STMicroelectronics STU6N65K3

Name: STU6N65K3
Brand: STMicroelectronics
SKU: STU6N65K3
Price: 0.912 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (373 reviews)

Numéro de pièce MFG: STU6N65K3

quantité disponible: 56770 Pièces

Prix de référence: USD 0.912

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: STMicroelectronics

Brève description: SuperMESH3™ MOSFET N-CH 650V 5.4A IPAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: STU6N65K3.pdf

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STU6N65K3 Caractéristiques

Référence fabricant	STU6N65K3
Numéro de pièce future	FT-STU6N65K3
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	SuperMESH3™
STU6N65K3 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	5.4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.3 Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	33nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	880pF @ 50V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	110W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	I-PAK
Paquet / caisse	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STU6N65K3 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	STU6N65K3-FT

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