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SCT3080KLGC11 Image

Rohm Semiconductor SCT3080KLGC11

Numéro de pièce MFG
SCT3080KLGC11
quantité disponible
13050 Pièces
Prix de référence
USD 15.28
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Date d'expédition
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fabricant
Rohm Semiconductor
Brève description
- MOSFET NCH 1.2KV 31A TO247N
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
SCT3080KLGC11.pdf
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SCT3080KLGC11 Caractéristiques

Référence fabricant SCT3080KLGC11
Numéro de pièce future FT-SCT3080KLGC11
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
SCT3080KLGC11 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Drain à la tension source (Vdss) 1200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 31A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 104 mOhm @ 10A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.6V @ 5mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 18V
Vgs (Max) +22V, -4V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 785pF @ 800V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 165W (Tc)
Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-247N
Paquet / caisse TO-247-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SCT3080KLGC11 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange SCT3080KLGC11-FT

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