maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / MWI75-12T7T
Référence fabricant | MWI75-12T7T |
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Numéro de pièce future | FT-MWI75-12T7T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MWI75-12T7T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench |
Configuration | Three Phase Inverter |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 110A |
Puissance - Max | 355W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 75A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 4mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 5.35nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | E2 |
Package d'appareils du fournisseur | E2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MWI75-12T7T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MWI75-12T7T-FT |
FF450R07ME4B11BOSA1
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FF600R07ME4B11BOSA1
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FS100R12KT4PB11BPSA1
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FS200R12KT4RPB11BPSA1
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XC3S700A-4FGG484C
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XC3S1400AN-4FGG484I
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EP3C10F256I7N
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5SGXEA7K3F35I3N
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XC7VX690T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-1PLG84I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C4L
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