maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / FF800R12KE3NOSA1
Référence fabricant | FF800R12KE3NOSA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FF800R12KE3NOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FF800R12KE3NOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | - |
Configuration | Single |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1200A |
Puissance - Max | 3900W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 800A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 5mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 57nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF800R12KE3NOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FF800R12KE3NOSA1-FT |
APTGT150SK170G
Microsemi Corporation
APTGT150SK60T1G
Microsemi Corporation
APTGT150TA60PG
Microsemi Corporation
APTGT150TDU60PG
Microsemi Corporation
APTGT200A120D3G
Microsemi Corporation
APTGT200A170D3G
Microsemi Corporation
APTGT200DA120D3G
Microsemi Corporation
APTGT200DA120G
Microsemi Corporation
APTGT200DH120G
Microsemi Corporation
APTGT200DH60G
Microsemi Corporation