maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / APTGT200DH120G
Référence fabricant | APTGT200DH120G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-APTGT200DH120G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
APTGT200DH120G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | Asymmetrical Bridge |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 280A |
Puissance - Max | 890W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 200A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 350µA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 14nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | SP6 |
Package d'appareils du fournisseur | SP6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGT200DH120G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APTGT200DH120G-FT |
FS900R08A2P2B31BOSA1
Infineon Technologies
VS-GA200TH60S
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GA300TD60S
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GA400TD60S
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB100LH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB100NH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB100TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB100TH120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB150LH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB150TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFEC6E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX45-3FG484C
Xilinx Inc.
APA600-FG256
Microsemi Corporation
EP20K1000CF672C8ES
Intel
5SGXEA5N2F40C2N
Intel
EP2AGX125DF25C6N
Intel
XC7VX415T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
LFE2-12SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF81188ARC240-2
Intel