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Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GB100TH120U
- Numéro de pièce MFG
- VS-GB100TH120U
- quantité disponible
- 42950 Pièces
- Prix de référence
- USD 285.889336
- Notre prix
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- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Brève description
- - IGBT 1200V 200A 1136W INT-A-PAK
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - IGBT - Modules
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- VS-GB100TH120U.pdf
VS-GB100TH120U Caractéristiques
| Référence fabricant | VS-GB100TH120U |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-VS-GB100TH120U |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| VS-GB100TH120U Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Type IGBT | NPT |
| Configuration | Half Bridge |
| Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 200A |
| Puissance - Max | 1136W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.6V @ 15V, 100A |
| Courant - Coupure Collecteur (Max) | 5mA |
| Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 8.45nF @ 20V |
| Contribution | Standard |
| Thermistance NTC | No |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / caisse | Double INT-A-PAK (3 + 4) |
| Package d'appareils du fournisseur | Double INT-A-PAK |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| VS-GB100TH120U Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | VS-GB100TH120U-FT |
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