maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / FP50R07N2E4BOSA1
Référence fabricant | FP50R07N2E4BOSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-FP50R07N2E4BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FP50R07N2E4BOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | Three Phase Inverter |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 650V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 70A |
Puissance - Max | - |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 50A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 3.1nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FP50R07N2E4BOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FP50R07N2E4BOSA1-FT |
GHIS060A120S-A2
Global Power Technologies Group
GHIS080A120S-A1
Global Power Technologies Group
GHIS080A120S-A2
Global Power Technologies Group
GHIS030A120S-A1
Global Power Technologies Group
GSID100A120S5C1
Global Power Technologies Group
GSID150A120S5C1
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GSID300A120S5C1
Global Power Technologies Group
GSID200A120S5C1
Global Power Technologies Group
GSID300A125S5C1
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GHIS080A060S1-E1
Global Power Technologies Group
XC7A200T-L1FB676I
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Xilinx Inc.
XC6SLX100-2FGG484I
Xilinx Inc.
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EP3SL340F1517I4N
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5SGXEB5R1F43I2N
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5SGXEA7K3F35C3N
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LCMXO2280E-4MN132I
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LFE3-95E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C120F780C7N
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