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Référence fabricant | GSID200A120S5C1 |
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Numéro de pièce future | FT-GSID200A120S5C1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GSID200A120S5C1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | - |
Configuration | Three Phase Inverter |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 335A |
Puissance - Max | - |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 200A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 22.4nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GSID200A120S5C1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GSID200A120S5C1-FT |
IXSN55N120AU1
IXYS
IXSN62N60U1
IXYS
IXXN100N60B3H1
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IXSN80N60AU1
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IXGN60N60
IXYS
IXGN60N60C2
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IXGN60N60C2D1
IXYS
IXGN320N60A3
IXYS
LCMXO2-256HC-4TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGLE3000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-2FG256I
Microsemi Corporation
EPF10K250EFI672-3
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5SGXMA3E2H29C3N
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Xilinx Inc.
5CEFA7U19C6N
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10AX066K2F40I2LG
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