maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / IXSN80N60BD1
Référence fabricant | IXSN80N60BD1 |
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Numéro de pièce future | FT-IXSN80N60BD1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IXSN80N60BD1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type IGBT | - |
Configuration | Single |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 600V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 160A |
Puissance - Max | 420W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 80A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 200µA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 6.6nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | SOT-227-4, miniBLOC |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-227B |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXSN80N60BD1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXSN80N60BD1-FT |
APT200GN60JDQ4
Microsemi Corporation
APT35GT120JU2
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APT100GT60JR
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XC6SLX150-3FG900C
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XC5VLX220T-2FFG1738C
Xilinx Inc.
A42MX24-3PQG160
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A42MX16-PQ100
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EP3SL50F780I3
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