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Référence fabricant | APT100GT120JRDQ4 |
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Numéro de pièce future | FT-APT100GT120JRDQ4 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Thunderbolt IGBT® |
APT100GT120JRDQ4 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | NPT |
Configuration | Single |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 123A |
Puissance - Max | 570W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 100A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 200µA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 7.85nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | ISOTOP |
Package d'appareils du fournisseur | ISOTOP® |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT100GT120JRDQ4 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APT100GT120JRDQ4-FT |
APTGT200DA60T3AG
Microsemi Corporation
APTGT200A60T3AG
Microsemi Corporation
APTGT200A602G
Microsemi Corporation
APTGT200A120G
Microsemi Corporation
APTGT150TL60G
Microsemi Corporation
APTGT150SK120G
Microsemi Corporation
APTGT150DU120TG
Microsemi Corporation
APTGT150DU120G
Microsemi Corporation
APTGT150DA60T1G
Microsemi Corporation
APTGT150DA120G
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL005S-1VFG256T2
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152C4
Intel
XC6VLX365T-3FFG1759C
Xilinx Inc.
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFE2-6E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S1F45I1SG
Intel
EP20K1000CB652C9N
Intel
EP20K200EBC356-2X
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EPF10K30AQC240-2N
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