maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / GHIS080A120S-A2
Référence fabricant | GHIS080A120S-A2 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-GHIS080A120S-A2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GHIS080A120S-A2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | Single |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 160A |
Puissance - Max | 480W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 80A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 2mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 10.3nF @ 30V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | SOT-227-4, miniBLOC |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-227 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GHIS080A120S-A2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GHIS080A120S-A2-FT |
IXSN35N120AU1
IXYS
IXSN50N60BD2
IXYS
IXSN50N60BD3
IXYS
IXSN52N60AU1
IXYS
IXSN55N120A
IXYS
IXSN55N120AU1
IXYS
IXSN62N60U1
IXYS
IXXN100N60B3H1
IXYS
IXSN80N60AU1
IXYS
IXSN80N60BD1
IXYS
A40MX02-2VQG80I
Microsemi Corporation
XA2S150E-6FT256I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3C40U484I7
Intel
5SGXEA7N1F40C2
Intel
10CX220YF672E5G
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
XC2V1500-4FFG896I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U4F45I3SGE2
Intel