maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / FP40R12KE3GBOSA1
Référence fabricant | FP40R12KE3GBOSA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FP40R12KE3GBOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FP40R12KE3GBOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | Three Phase Inverter |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 55A |
Puissance - Max | 210W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 40A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 2.5nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FP40R12KE3GBOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FP40R12KE3GBOSA1-FT |
GHIS040A060S-A2
Global Power Technologies Group
GHIS060A060S-A2
Global Power Technologies Group
GHIS060A120S-A2
Global Power Technologies Group
GHIS080A120S-A1
Global Power Technologies Group
GHIS080A120S-A2
Global Power Technologies Group
GHIS030A120S-A1
Global Power Technologies Group
GSID100A120S5C1
Global Power Technologies Group
GSID150A120S5C1
Global Power Technologies Group
GSID300A120S5C1
Global Power Technologies Group
GSID200A120S5C1
Global Power Technologies Group
A42MX36-3PQG240I
Microsemi Corporation
AGLN030V5-ZVQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA4K3F40C2LN
Intel
EP4SE820F43C3
Intel
XC7VX690T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A40MX04-PLG84
Microsemi Corporation
A3PE1500-1FGG676I
Microsemi Corporation
A3P600-2FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG184C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-5BG332I
Lattice Semiconductor Corporation