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Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GB100LH120N

Name: VS-GB100LH120N
Brand: Vishay Semiconductor Diodes Division
SKU: VS-GB100LH120N
Price: 234.732 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (80 reviews)

Numéro de pièce MFG: VS-GB100LH120N

quantité disponible: 72870 Pièces

Prix de référence: USD 234.732

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Vishay Semiconductor Diodes Division

Brève description: - IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - IGBT - Modules

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: VS-GB100LH120N.pdf

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VS-GB100LH120N Caractéristiques

Référence fabricant	VS-GB100LH120N
Numéro de pièce future	FT-VS-GB100LH120N
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
VS-GB100LH120N Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type IGBT	-
Configuration	Single
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.)	1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	200A
Puissance - Max	833W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	1.77V @ 15V, 100A (Typ)
Courant - Coupure Collecteur (Max)	1mA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce	8.96nF @ 25V
Contribution	Standard
Thermistance NTC	No
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / caisse	Double INT-A-PAK (3 + 4)
Package d'appareils du fournisseur	Double INT-A-PAK
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
VS-GB100LH120N Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	VS-GB100LH120N-FT

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