maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / VS-GB150LH120N
Référence fabricant | VS-GB150LH120N |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-VS-GB150LH120N |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-GB150LH120N Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | - |
Configuration | Single |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 300A |
Puissance - Max | 1389W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.87V @ 15V, 150A (Typ) |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 10.6nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Double INT-A-PAK (3 + 4) |
Package d'appareils du fournisseur | Double INT-A-PAK |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-GB150LH120N Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-GB150LH120N-FT |
FP50R06KE3BOSA1
Infineon Technologies
FP50R07N2E4BOSA1
Infineon Technologies
FP50R12KS4CBOSA1
Infineon Technologies
FP50R12KT4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP50R12KT4GB15BOSA1
Infineon Technologies
FP50R12KT4PBPSA1
Infineon Technologies
FP50R12N2T4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP75R06KE3BOSA1
Infineon Technologies
FP75R07N2E4BOSA1
Infineon Technologies
FP75R12KT4B16BOSA1
Infineon Technologies
LFEC6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400-4FGG320C
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000ZE-2QN84C
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P250-2VQG100
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1N
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LFXP6C-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-1BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H2F34I2LG
Intel
5AGXFB7H4F35I5
Intel