maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / FP75R12KT4B16BOSA1
Référence fabricant | FP75R12KT4B16BOSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-FP75R12KT4B16BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FP75R12KT4B16BOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | Three Phase Inverter |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 150A |
Puissance - Max | 385W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.25V @ 15V, 75A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 4.3nF @ 25V |
Contribution | Three Phase Bridge Rectifier |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FP75R12KT4B16BOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FP75R12KT4B16BOSA1-FT |
GSID300A125S5C1
Global Power Technologies Group
GHIS080A060S1-E1
Global Power Technologies Group
GB100XCP12-227
GeneSiC Semiconductor
APTGT50H120T3G
Microsemi Corporation
FP7G75US60
ON Semiconductor
FP7G50US60
ON Semiconductor
FP7G100US60
ON Semiconductor
A1425A-1PQG100I
Microsemi Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P125-PQG208I
Microsemi Corporation
MPF500T-FCG1152E
Microsemi Corporation
EP20K200EFC484-2XN
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EP4SGX290NF45I3N
Intel
XC7K70T-L2FBG484E
Xilinx Inc.
LCMXO1200C-3MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS150F780C7N
Intel