maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / FF800R17KE3NOSA1
Référence fabricant | FF800R17KE3NOSA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FF800R17KE3NOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FF800R17KE3NOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | - |
Configuration | 2 Independent |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1700V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | - |
Puissance - Max | 4450W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 800A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 5mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 72nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF800R17KE3NOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FF800R17KE3NOSA1-FT |
APTGT150TA60PG
Microsemi Corporation
APTGT150TDU60PG
Microsemi Corporation
APTGT200A120D3G
Microsemi Corporation
APTGT200A170D3G
Microsemi Corporation
APTGT200DA120D3G
Microsemi Corporation
APTGT200DA120G
Microsemi Corporation
APTGT200DH120G
Microsemi Corporation
APTGT200DH60G
Microsemi Corporation
APTGT200H120G
Microsemi Corporation
APTGT200H60G
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL005S-1VFG256T2
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152C4
Intel
XC6VLX365T-3FFG1759C
Xilinx Inc.
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFE2-6E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S1F45I1SG
Intel
EP20K1000CB652C9N
Intel
EP20K200EBC356-2X
Intel
EPF10K30AQC240-2N
Intel