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Référence fabricant | FF600R07ME4B11BOSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-FF600R07ME4B11BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FF600R07ME4B11BOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | 2 Independent |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 650V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 700A |
Puissance - Max | 1800W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 600A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 37nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF600R07ME4B11BOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FF600R07ME4B11BOSA1-FT |
APTGT150H120G
Microsemi Corporation
APTGT150H170G
Microsemi Corporation
APTGT150H60TG
Microsemi Corporation
APTGT150SK170G
Microsemi Corporation
APTGT150SK60T1G
Microsemi Corporation
APTGT150TA60PG
Microsemi Corporation
APTGT150TDU60PG
Microsemi Corporation
APTGT200A120D3G
Microsemi Corporation
APTGT200A170D3G
Microsemi Corporation
APTGT200DA120D3G
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-3N
Intel
ICE40HX1K-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCV800-5FG676C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208I
Microsemi Corporation
10AX048H2F34I2SG
Intel
5SGSED6N2F45I3L
Intel
A1010B-PL44C
Microsemi Corporation
XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
EP1AGX20CF780I6
Intel
EP1AGX60DF780I6N
Intel