maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / APTGT150H120G
Référence fabricant | APTGT150H120G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-APTGT150H120G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
APTGT150H120G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | Full Bridge Inverter |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 220A |
Puissance - Max | 690W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 150A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 350µA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 10.7nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | SP6 |
Package d'appareils du fournisseur | SP6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGT150H120G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APTGT150H120G-FT |
FS215R04A1E3DBOMA1
Infineon Technologies
FS400R07A1E3S7BOMA1
Infineon Technologies
FS400R07A3E3BOMA1
Infineon Technologies
FS400R07A3E3H6BPSA1
Infineon Technologies
FS400R12A2T4BOSA1
Infineon Technologies
FS50R07W1E3B11ABOMA1
Infineon Technologies
FS75R07W2E3B11ABOMA1
Infineon Technologies
FS820R08A6P2BBPSA1
Infineon Technologies
FS820R08A6P2BPSA1
Infineon Technologies
FS820R08A6P2LBBPSA1
Infineon Technologies
XC4006E-2TQ144C
Xilinx Inc.
A3P1000L-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQG208
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40C2N
Intel
10AX022E3F29I2SG
Intel
A54SX32A-2TQ100I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-3M100I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX048E1F29I1HG
Intel
EP1SGX25FF1020C5
Intel