maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / MWI100-12A8
Référence fabricant | MWI100-12A8 |
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Numéro de pièce future | FT-MWI100-12A8 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MWI100-12A8 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | NPT |
Configuration | Three Phase Inverter |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 160A |
Puissance - Max | 640W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 100A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 6.3mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 6.5nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | E3 |
Package d'appareils du fournisseur | E3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MWI100-12A8 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MWI100-12A8-FT |
APTGTQ100A65T1G
Microsemi Corporation
APTGTQ100DA65T1G
Microsemi Corporation
APTGTQ100DDA65T3G
Microsemi Corporation
APTGTQ100H65T3G
Microsemi Corporation
APTGTQ100SK65T1G
Microsemi Corporation
APTGTQ150TA65TPG
Microsemi Corporation
APTGTQ200A65T3G
Microsemi Corporation
APTGTQ200DA65T3G
Microsemi Corporation
APTGTQ200SK65T3G
Microsemi Corporation
APTGTQ50TA65T3G
Microsemi Corporation
XC2S150-6FGG456C
Xilinx Inc.
A42MX36-3BG272I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100
Microsemi Corporation
EP4SGX230KF40C2
Intel
XC2VP40-7FFG1152C
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C8
Intel
EP4CE75F29I7
Intel
EP3C25F324C8N
Intel
EP1K100QI208-2N
Intel