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Microsemi Corporation APTGTQ100A65T1G

Name: APTGTQ100A65T1G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APTGTQ100A65T1G
Price: 33.08472 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (311 reviews)

Numéro de pièce MFG: APTGTQ100A65T1G

quantité disponible: 24210 Pièces

Prix de référence: USD 33.08472

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Microsemi Corporation

Brève description: - POWER MODULE - IGBT

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - IGBT - Modules

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: APTGTQ100A65T1G.pdf

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APTGTQ100A65T1G Caractéristiques

Référence fabricant	APTGTQ100A65T1G
Numéro de pièce future	FT-APTGTQ100A65T1G
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
APTGTQ100A65T1G Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type IGBT	-
Configuration	Half Bridge
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.)	650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	100A
Puissance - Max	250W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.2V @ 15V, 100A
Courant - Coupure Collecteur (Max)	100µA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce	6nF @ 25V
Contribution	Standard
Thermistance NTC	Yes
Température de fonctionnement	-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / caisse	Module
Package d'appareils du fournisseur	SP1
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTGTQ100A65T1G Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	APTGTQ100A65T1G-FT

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