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Référence fabricant | APTGT100H170G |
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Numéro de pièce future | FT-APTGT100H170G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
APTGT100H170G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | Full Bridge Inverter |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1700V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 150A |
Puissance - Max | 560W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 100A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 350µA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 9nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | SP6 |
Package d'appareils du fournisseur | SP6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGT100H170G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APTGT100H170G-FT |
VS-GB75TP120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GT100TP60N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GT200TP065N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GT50TP120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GT50TP60N
Vishay Semiconductor Diodes Division
FD400R07PE4RB6BOSA1
Infineon Technologies
FD401R17KF6C_B2
Infineon Technologies
FF300R06KE3B2HOSA1
Infineon Technologies
F450R07W1H3B11ABOMA1
Infineon Technologies
F475R07W1H3B11ABOMA1
Infineon Technologies
XC2V1000-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC2V4000-4FF1517I
Xilinx Inc.
M1A3PE1500-2PQ208
Microsemi Corporation
10CL080YF484C6G
Intel
10M04DCF256C8G
Intel
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
XC2VP50-5FFG1152I
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG100
Microsemi Corporation
LFE2-35E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation