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VS-GT50TP60N Image

Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GT50TP60N

Numéro de pièce MFG
VS-GT50TP60N
quantité disponible
88610 Pièces
Prix de référence
USD 139.733
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
Vishay Semiconductor Diodes Division
Brève description
- IGBT 600V 85A 208W INT-A-PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - IGBT - Modules
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
VS-GT50TP60N.pdf
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VS-GT50TP60N Caractéristiques

Référence fabricant VS-GT50TP60N
Numéro de pièce future FT-VS-GT50TP60N
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
VS-GT50TP60N Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type IGBT Trench
Configuration Half Bridge
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 85A
Puissance - Max 208W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
Courant - Coupure Collecteur (Max) 1mA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 3.03nF @ 30V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / caisse INT-A-PAK (3 + 4)
Package d'appareils du fournisseur INT-A-PAK
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
VS-GT50TP60N Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange VS-GT50TP60N-FT

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