maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / FP100R07N3E4BOSA1
Référence fabricant | FP100R07N3E4BOSA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FP100R07N3E4BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FP100R07N3E4BOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | Three Phase Inverter |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 650V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100A |
Puissance - Max | 335W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 100A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 6.2nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FP100R07N3E4BOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FP100R07N3E4BOSA1-FT |
FP150R12KT4PB11BPSA1
Infineon Technologies
FP150R12KT4PBPSA1
Infineon Technologies
FP35R12W2T4PB11BPSA1
Infineon Technologies
FP25R12W2T4PB11BPSA1
Infineon Technologies
FP25R12W2T4PBPSA1
Infineon Technologies
FP35R12W2T4PBPSA1
Infineon Technologies
DDB6U84N16RRBOSA1
Infineon Technologies
DDB6U134N16RRBOSA1
Infineon Technologies
BSM50GP120BOSA1
Infineon Technologies
BSM100GB60DLCHOSA1
Infineon Technologies
XC3S500E-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-N3FG484I
Xilinx Inc.
5SGSMD5K3F40I3LN
Intel
5SGSED6N3F45C2L
Intel
5SGXMA4H3F35I4
Intel
XC5VLX85T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
A42MX24-PQG160
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65DF29C4N
Intel
EP1S40F780I6
Intel