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VS-GT100TP60N Image

Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GT100TP60N

Numéro de pièce MFG
VS-GT100TP60N
quantité disponible
74530 Pièces
Prix de référence
USD 174.598336
Notre prix
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
Vishay Semiconductor Diodes Division
Brève description
- IGBT 600V 160A 417W INT-A-PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - IGBT - Modules
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
VS-GT100TP60N.pdf
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VS-GT100TP60N Caractéristiques

Référence fabricant VS-GT100TP60N
Numéro de pièce future FT-VS-GT100TP60N
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
VS-GT100TP60N Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type IGBT Trench
Configuration Half Bridge
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 160A
Puissance - Max 417W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 100A
Courant - Coupure Collecteur (Max) 5mA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 7.71nF @ 30V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / caisse INT-A-PAK (3 + 4)
Package d'appareils du fournisseur INT-A-PAK
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
VS-GT100TP60N Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange VS-GT100TP60N-FT

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