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Référence fabricant | APTGT100DA120T1G |
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Numéro de pièce future | FT-APTGT100DA120T1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
APTGT100DA120T1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | Single |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 140A |
Puissance - Max | 480W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 100A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 250µA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 7.2nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | SP1 |
Package d'appareils du fournisseur | SP1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGT100DA120T1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APTGT100DA120T1G-FT |
VS-GB100LP120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB100TP120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB50LP120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB50TP120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB75TP120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB75TP120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GT100TP60N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GT200TP065N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GT50TP120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GT50TP60N
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-N3FT256C
Xilinx Inc.
A3P1000-PQ208M
Microsemi Corporation
A54SX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3SL340F1517I4LN
Intel
XC7VX690T-2FFG1930I
Xilinx Inc.
LAE3-17EA-6LMG328E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2LG
Intel
5AGXMA3D4F31C4N
Intel
EP4SGX70DF29I3N
Intel