maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / APTGT100DH120TG
Référence fabricant | APTGT100DH120TG |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-APTGT100DH120TG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
APTGT100DH120TG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | Asymmetrical Bridge |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 140A |
Puissance - Max | 480W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 100A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 250µA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 7.2nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | SP4 |
Package d'appareils du fournisseur | SP4 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGT100DH120TG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APTGT100DH120TG-FT |
VS-GB100TP120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB50LP120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB50TP120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB75TP120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB75TP120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GT100TP60N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GT200TP065N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GT50TP120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GT50TP60N
Vishay Semiconductor Diodes Division
FD400R07PE4RB6BOSA1
Infineon Technologies
A40MX02-2VQG80I
Microsemi Corporation
XA2S150E-6FT256I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3C40U484I7
Intel
5SGXEA7N1F40C2
Intel
10CX220YF672E5G
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
XC2V1500-4FFG896I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U4F45I3SGE2
Intel