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Microsemi Corporation APTGTQ200DA65T3G

Name: APTGTQ200DA65T3G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APTGTQ200DA65T3G
Price: 39.8256 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (639 reviews)

Numéro de pièce MFG: APTGTQ200DA65T3G

quantité disponible: 22670 Pièces

Prix de référence: USD 39.8256

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Microsemi Corporation

Brève description: - POWER MODULE - IGBT

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - IGBT - Modules

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: APTGTQ200DA65T3G.pdf

APTGTQ200DA65T3G Caractéristiques

Référence fabricant	APTGTQ200DA65T3G
Numéro de pièce future	FT-APTGTQ200DA65T3G
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
APTGTQ200DA65T3G Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type IGBT	-
Configuration	Boost Chopper
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.)	650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	200A
Puissance - Max	483W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.2V @ 15V, 200A
Courant - Coupure Collecteur (Max)	200µA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce	12nF @ 25V
Contribution	Standard
Thermistance NTC	Yes
Température de fonctionnement	-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / caisse	Module
Package d'appareils du fournisseur	SP3F
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTGTQ200DA65T3G Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	APTGTQ200DA65T3G-FT

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