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APTGTQ100H65T3G Image

Microsemi Corporation APTGTQ100H65T3G

Numéro de pièce MFG
APTGTQ100H65T3G
quantité disponible
78850 Pièces
Prix de référence
USD 49.91144
Notre prix
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
- POWER MODULE - IGBT
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - IGBT - Modules
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
APTGTQ100H65T3G.pdf
APTGTQ100H65T3G Image

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APTGTQ100H65T3G Caractéristiques

Référence fabricant APTGTQ100H65T3G
Numéro de pièce future FT-APTGTQ100H65T3G
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
APTGTQ100H65T3G Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type IGBT -
Configuration Full Bridge
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100A
Puissance - Max 250W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 100A
Courant - Coupure Collecteur (Max) 100µA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 6nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC Yes
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / caisse Module
Package d'appareils du fournisseur SP3F
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTGTQ100H65T3G Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange APTGTQ100H65T3G-FT

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