maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MURF30020R
Référence fabricant | MURF30020R |
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Numéro de pièce future | FT-MURF30020R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MURF30020R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Anode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 150A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 150A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 25µA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | TO-244AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-244 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURF30020R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MURF30020R-FT |
MDD600-12N1
IXYS
MDD600-16N1
IXYS
MDD600-18N1
IXYS
MDD600-20N1
IXYS
MDD600-22N1
IXYS
MDD710-22N2
IXYS
MDD950-12N1W
IXYS
MDD950-14N1W
IXYS
MDD950-16N1W
IXYS
MDD950-18N1W
IXYS
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
Intel
EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel