maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MDD600-12N1
Référence fabricant | MDD600-12N1 |
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Numéro de pièce future | FT-MDD600-12N1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MDD600-12N1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Series Connection |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 600A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 880mV @ 500A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50mA @ 1200V |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | WC-500 |
Package d'appareils du fournisseur | WC-500 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MDD600-12N1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MDD600-12N1-FT |
MBR30H30CTH
ON Semiconductor
MBR30H35CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR4015CTLH
ON Semiconductor
MBR40L45CTH
ON Semiconductor
MBR41H100CTH
ON Semiconductor
MBR60L45CTH
ON Semiconductor
MBRB10H90CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1535CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1535CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB15H35CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
EX128-TQ64I
Microsemi Corporation
XC2S50-5FGG256C
Xilinx Inc.
XA3S1600E-4FGG484I
Xilinx Inc.
AX1000-FGG484M
Microsemi Corporation
XC7A25T-L1CPG238I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6U19C6N
Intel
5CGXFC7C7U19C8N
Intel
10AX057N2F40E2SG
Intel
EP20K1000CB652C7N
Intel
EPF10K50SQC208-3
Intel