maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MDD950-12N1W
Référence fabricant | MDD950-12N1W |
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Numéro de pièce future | FT-MDD950-12N1W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MDD950-12N1W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Series Connection |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 950A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 880mV @ 500A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 18µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50mA @ 1200V |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MDD950-12N1W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MDD950-12N1W-FT |
MBRB10H90CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1535CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1535CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB15H35CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB15H50CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB15H50CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB15H60CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB15H60CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB15H60CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB2035CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-PQG208
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-SWG16TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EFC672-1
Intel
EP4CGX30CF23C7N
Intel
5SGSED8N3F45C3N
Intel
A42MX16-TQG176
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-7MG328CAHQ
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP20K200BC356-3
Intel