maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MBRB2035CTHE3_A/I
Référence fabricant | MBRB2035CTHE3_A/I |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MBRB2035CTHE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
MBRB2035CTHE3_A/I Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 35V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 650mV @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 35V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB2035CTHE3_A/I Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBRB2035CTHE3_A/I-FT |
JANTX1N6660CCT1
Microsemi Corporation
JANTX1N6660DT1
Microsemi Corporation
JANTX1N6674R
Microsemi Corporation
JANTX1N7037CCU1
Microsemi Corporation
JANTX1N7039CCT1
Microsemi Corporation
JANTXV1N4148UBCA
Microsemi Corporation
JANTXV1N6660CAT1
Microsemi Corporation
JANTXV1N6660CCT1
Microsemi Corporation
JANTXV1N6660DT1
Microsemi Corporation
JANTXV1N6660R
Microsemi Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
A3P600L-FG484
Microsemi Corporation
5SGXEB9R2H43C2L
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC4044XL-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC7A200T-2SBG484I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-6LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB1D4F31C5N
Intel
EP4CE55F29I8L
Intel
EPF10K200SRC240-1N
Intel