maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MBRB2035CTHE3_A/I
Référence fabricant | MBRB2035CTHE3_A/I |
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Numéro de pièce future | FT-MBRB2035CTHE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
MBRB2035CTHE3_A/I Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 35V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 650mV @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 35V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB2035CTHE3_A/I Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBRB2035CTHE3_A/I-FT |
JANTX1N6660CCT1
Microsemi Corporation
JANTX1N6660DT1
Microsemi Corporation
JANTX1N6674R
Microsemi Corporation
JANTX1N7037CCU1
Microsemi Corporation
JANTX1N7039CCT1
Microsemi Corporation
JANTXV1N4148UBCA
Microsemi Corporation
JANTXV1N6660CAT1
Microsemi Corporation
JANTXV1N6660CCT1
Microsemi Corporation
JANTXV1N6660DT1
Microsemi Corporation
JANTXV1N6660R
Microsemi Corporation
XC5204-6TQ144C
Xilinx Inc.
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P250-1VQ100
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQG100I
Microsemi Corporation
A1020B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC6VSX315T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM81TR
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LCMXO3L-2100E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F31C4N
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