maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MDD950-18N1W
Référence fabricant | MDD950-18N1W |
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Numéro de pièce future | FT-MDD950-18N1W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MDD950-18N1W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Series Connection |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 950A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 880mV @ 500A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 18µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50mA @ 1800V |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MDD950-18N1W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MDD950-18N1W-FT |
MBRB15H35CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB15H50CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB15H50CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB15H60CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB15H60CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB15H60CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB2035CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB2035CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB20H45CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB20H45CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
AT40K05-2BQI
Microchip Technology
LFEC6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEB9R2H43I2L
Intel
XC7A200T-1FBG484C
Xilinx Inc.
XC7VX330T-1FFG1761I
Xilinx Inc.
LFXP10E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-04F256C
Lattice Semiconductor Corporation
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Intel
EP2SGX90FF1508C3
Intel
EP1C20F400C8N
Intel