maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MBRB2035CTHE3_A/P
Référence fabricant | MBRB2035CTHE3_A/P |
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Numéro de pièce future | FT-MBRB2035CTHE3_A/P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
MBRB2035CTHE3_A/P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 35V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 650mV @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 35V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB2035CTHE3_A/P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBRB2035CTHE3_A/P-FT |
JANTX1N6660DT1
Microsemi Corporation
JANTX1N6674R
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JANTX1N7037CCU1
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JANTX1N7039CCT1
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JANTXV1N4148UBCA
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JANTXV1N6660CAT1
Microsemi Corporation
JANTXV1N6660CCT1
Microsemi Corporation
JANTXV1N6660DT1
Microsemi Corporation
JANTXV1N6660R
Microsemi Corporation
JANTXV1N6673
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LCMXO1200C-5TN144C
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M2GL090-FGG484
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10AX032H3F34I2SG
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XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FGG676
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LFE2-20E-7F672C
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LFE2-12E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I1SG
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10AX115R3F40I3SGES
Intel
5AGTMC7G3F31I5N
Intel