maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MBRB2035CTHE3_A/P
Référence fabricant | MBRB2035CTHE3_A/P |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MBRB2035CTHE3_A/P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
MBRB2035CTHE3_A/P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 35V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 650mV @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 35V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB2035CTHE3_A/P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBRB2035CTHE3_A/P-FT |
JANTX1N6660DT1
Microsemi Corporation
JANTX1N6674R
Microsemi Corporation
JANTX1N7037CCU1
Microsemi Corporation
JANTX1N7039CCT1
Microsemi Corporation
JANTXV1N4148UBCA
Microsemi Corporation
JANTXV1N6660CAT1
Microsemi Corporation
JANTXV1N6660CCT1
Microsemi Corporation
JANTXV1N6660DT1
Microsemi Corporation
JANTXV1N6660R
Microsemi Corporation
JANTXV1N6673
Microsemi Corporation
LFE2-6E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-5FG256C
Xilinx Inc.
EP4CE15F23C7
Intel
5SGXMA7N3F40I4N
Intel
5SGXEABK2H40C2L
Intel
XC4VFX20-10FFG672I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP384-CM81TR
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS70F780C8
Intel
10AX048E2F29I1SG
Intel