maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MURB1620CTRT4G
Référence fabricant | MURB1620CTRT4G |
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Numéro de pièce future | FT-MURB1620CTRT4G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SWITCHMODE™ |
MURB1620CTRT4G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Anode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 85ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURB1620CTRT4G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MURB1620CTRT4G-FT |
RB425D-TP
Micro Commercial Co
RB495D-TP
Micro Commercial Co
SMBD 7000 E6433
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SMBD7000E6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS21VD,135
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BAS21AVD,165
Nexperia USA Inc.
BAS21UE6327HTSA1
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IMN10T108
Rohm Semiconductor
HN2D03F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
NSVBAS21TMR6T1G
ON Semiconductor
A40MX04-VQ80
Microsemi Corporation
XC2V4000-4FF1517I
Xilinx Inc.
M1AFS1500-FG256
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A1020B-1PL68I
Microsemi Corporation
10CX150YF672E6G
Intel
A54SX16A-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC5C6F23C7N
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10AX066K2F35I2SGES
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