maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT53B384M64D4NK-062 XT:B
Référence fabricant | MT53B384M64D4NK-062 XT:B |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MT53B384M64D4NK-062 XT:B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT53B384M64D4NK-062 XT:B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Taille mémoire | 24Gb (384M x 64) |
Fréquence d'horloge | 1600MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.1V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 105°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B384M64D4NK-062 XT:B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT53B384M64D4NK-062 XT:B-FT |
MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B
Micron Technology Inc.
MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M32D1GZ-062 WT:B
Micron Technology Inc.
MT53B256M32D1GZ-062 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M32D1NP-062 WT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M32D1NP-062 WT ES:C TR
Micron Technology Inc.
XC4020XL-1HT144C
Xilinx Inc.
EX64-TQ100A
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQ240
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN060-VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-3
Intel
10CL016YE144C8G
Intel
5SGXEA4K2F35C2L
Intel
LFE2-20SE-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45I3LG
Intel