maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT53B256M32D1GZ-062 WT:B TR
Référence fabricant | MT53B256M32D1GZ-062 WT:B TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT53B256M32D1GZ-062 WT:B TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT53B256M32D1GZ-062 WT:B TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Taille mémoire | 8Gb (256M x 32) |
Fréquence d'horloge | 1600MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.1V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B256M32D1GZ-062 WT:B TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT53B256M32D1GZ-062 WT:B TR-FT |
MT51J256M32HF-60:A
Micron Technology Inc.
MT51J256M32HF-60:A TR
Micron Technology Inc.
MT51J256M32HF-60S:A
Micron Technology Inc.
MT51J256M32HF-70:A
Micron Technology Inc.
MT51J256M32HF-70:A TR
Micron Technology Inc.
MT51J256M32HF-80:A
Micron Technology Inc.
MT51J256M32HF-80:A TR
Micron Technology Inc.
MT51K256M32HF-50 N:A
Micron Technology Inc.
MT51K256M32HF-50 N:A TR
Micron Technology Inc.
MT51K256M32HF-60:A
Micron Technology Inc.
EPF10K10TC144-4
Intel
A3P125-2PQG208
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA5K2F35C3N
Intel
XC4028XL-1BG256C
Xilinx Inc.
A42MX24-3PL84
Microsemi Corporation
LFE2M20E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40I2LG
Intel
EP3C80F780C8N
Intel