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Référence fabricant | MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B |
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Numéro de pièce future | FT-MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Taille mémoire | 8Gb (256M x 32) |
Fréquence d'horloge | 1600MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.1V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B-FT |
MT49H8M36BM-5:B
Micron Technology Inc.
MT49H8M36BM-TI:B
Micron Technology Inc.
MT49H8M36BM-TI:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H8M36FM-33:B TR
Micron Technology Inc.
MT51J256M32HF-50:A
Micron Technology Inc.
MT51J256M32HF-60:A
Micron Technology Inc.
MT51J256M32HF-60:A TR
Micron Technology Inc.
MT51J256M32HF-60S:A
Micron Technology Inc.
MT51J256M32HF-70:A
Micron Technology Inc.
MT51J256M32HF-70:A TR
Micron Technology Inc.
LFXP3C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1600E-5FG320C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
ICE40UL640-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N1F45C2LN
Intel
A1010B-2PLG44C
Microsemi Corporation
LFX200B-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
5SGXEA3H3F35C2LN
Intel