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Référence fabricant | MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Taille mémoire | 8Gb (256M x 32) |
Fréquence d'horloge | 1600MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.1V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 105°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C TR-FT |
MT51J256M32HF-60S:A
Micron Technology Inc.
MT51J256M32HF-70:A
Micron Technology Inc.
MT51J256M32HF-70:A TR
Micron Technology Inc.
MT51J256M32HF-80:A
Micron Technology Inc.
MT51J256M32HF-80:A TR
Micron Technology Inc.
MT51K256M32HF-50 N:A
Micron Technology Inc.
MT51K256M32HF-50 N:A TR
Micron Technology Inc.
MT51K256M32HF-60:A
Micron Technology Inc.
MT51K256M32HF-70:A
Micron Technology Inc.
MT52L1DAPF-DC
Micron Technology Inc.
XC4006E-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FGG900C
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10M08DCF484I7G
Intel
EP3CLS150F484C8
Intel
EP4CE115F23C7
Intel
XC2VP20-6FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E2F27E1HG
Intel
EP4SGX360HF35I3N
Intel